عصر جدید حافظه ها با اختراع جدید آی بی ام

شرکت آی بی ام همیشه در ساخت فناوری های جدید پیشرو بوده است. و حالا شاهد یک اختراع مهم دیگر از این شرکت هستیم. کاری که دنیای حافظه ها را تا چند سال دیگر تغییر می دهد. ‏

‏

مهندسان این شرکت حافظه جدیدی را ساخته اند که نسبت به مدل های پرسرعت فلش فعلی ۱۰۰ برابر سریع تر است. این حافظه با فناوری به نام Phase Change ساخته شده و به طور خلاصه PCM نامیده می شود. ‏

‏

علاوه بر سرعت بالا، این حافظه عمر بسیار طولانی هم دارد و ساخت اش آنقدر ارزان است که در تمام ابزارها از سرورهای ابری گرفته تا تلفن های هوشمند قابل استفاده است. بهترین حافظه های فلش فعلی ۳۰ هزار بار قدرت خواندن و نوشتن روی هر سلول را می دهند. هر چند برای یک کاربر معمولی طول عمر ۳ هزار بار هم کفایت می کند. اما حافظه جدید قدرت ۱۰ میلیون بار خواندن و نوشتن اطلاعات را به شما می دهد. ‏

‏

بالاتر از اینها قدرت ذخیره سازی است. حافظه های فلش فعلی در هر سلول خودشان یک بیت از اطلاعات را نگهداری می کنند. اما حافظه PCM می تواند ۴ بیت از اطلاعات را در هر سلول نگهداری کند. شرکت آی بی ام می گوید که این فناوری ذهنیت ما را نسبت به حافظه ها طی ۵ سال آینده تغییر خواهد داد. چرا که به زودی حافظه های بسیار پرظرفیت با سرعت بالا در اختیار خواهیم داشت. ‏

‏

این شرکت گفته که فناوری جدید اش تا سال ۲۰۱۶ به صورت تجاری در ابزارهای مختلف استفاده خواهد شد. سریع تر، ارزان تر، پرظرفیت تر و با عمر بیشتر. چیز دیگری هم لازم دارید؟ ‏

‏