سامسونگ تولید حافظه‌های DDR4 با ظرفیت ۶۴ گیگابایت را آغاز کرد

RDIMM های جدید شامل ۳۶ تراشه‌ی DDR4 هستند. این تراشه‌های کم مصرف با تکنولوژی ۲۰ نانومتری و طراحی ۳ بعدی سامسونگ تولید می‌شوند. مدل ۶۴ گیگابایت از فرکانس ۲۱۳۳ مگاهرتز بهره می‌برد. این رم‌ها از نسل بعدی پردازنده‌های "Xeon E5 "Haswell-EP پشتیبانی می‌کنند.

برای ساخت یک پکیج 3D TSV DRAM ، قالب‌های سیلیکونی تا ضخامت چند ده میکرومتر نازک می‌شوند، سپس درون آن‌ها صدها سوراخ ریز ایجاد می‌شود که این سوراخ‌ها اتصال عمودی میان لایه‌های سیلیکون را برای عبور الکترون‌ها ایجاد می‌کنند. به علت همین میان‌روهای سیلیکونی رم ۶۴ گیگابایتی که با استفاده از این روش ساخته شده، ۲ برابر سریع‌تر از یک رم معمولی عمل می‌کند در حالی که مصرف آن به نصف کاهش یافته است.

به دلیل این که معماری DDR DRAM از تعداد محدودی RDIMM برای هر کانال پشتیبانی می‌کند، برای افزایش مقدار رم در سرورهای آینده باید حجم ماژول‌های حافظه بالا برود. به همین علت از تولید رم‌های ۱۶ گیگابایتی با تکنولوژی TSV صرف نظر می‌شود و رم‌های ۳۲ و ۶۴ یا بالاتر را تولید می‌کنند. سامسونگ معتقد است با تکنولوژی چاپ ۳ بعدی قادر به قرار دادن بیشتر از ۴ تراشه‌ی DDR4 درون ماژول حافظه و رسیدن به چگالی‌های بالاتر است. این اقدام به گذر بازار حافظه از رم‌های DDR3 به DDR4 سرعت می‌بخشد.

سامسونگ بازار چالش انگیز تولید حافظه‌ی کامپیوتری را با استفاده از هنر تکنولوژی 3D TSV تقویت می‌کند. جیحو بائک معاون بازاریابی حافظه‌ی سامسونگ در این باره می‌گوید:

معرفی رم‌های بسیار کم مصرف DDR4 ساخته شده با تکنولوژی چاپ ۳ بعدی قدمی بزرگ برای ما است که با معرفی نسل بعدی پردازنده‌ها در نیمه‌ی دوم سال آینده، سامسونگ را از بقیه تولید کنندگان جلو می‌اندازد.

بنا به گزارش گارنر، تا انتهای سال بازار جهانی حافطه به ارزشی بالغ بر ۳۸٫۶ میلیارد دلار شامل ۲۹.۸ میلیارد قطعه (یک گیگابایت برای هر تراشه)خواهد رسید. بیشتر از ۲۰٪ از این بازار را سرورها در اختیار دارند.